一種光敏三極管加工工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810298755.2 申請日 -
公開（公告）號 CN108767054A 公開（公告）日 2018-11-06
申請公布號 CN108767054A 申請公布日 2018-11-06
分類號 H01L31/18;H01L21/22;H01L31/036;H01L31/11 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陸輝;趙鋁虎;張曉新;余慶;闞志國;葛亞英;陳昂;任志遠;鄢細根;何火軍 申請（專利權(quán)）人 華越微電子有限公司
代理機構(gòu) 上海精晟知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 華越微電子有限公司
地址 312000 浙江省紹興市環(huán)城西路天光橋3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種光敏三極管加工工藝，依次包括如下步驟：產(chǎn)品導(dǎo)入、場氧化、基區(qū)光刻、基區(qū)刻蝕、基區(qū)摻雜、發(fā)射區(qū)光刻、發(fā)射區(qū)刻蝕、氧化、注入摻雜、氧化層淀積、發(fā)射區(qū)推進、發(fā)射區(qū)摻雜、孔光刻、孔刻蝕、金屬淀積、光刻、金屬刻蝕、固化、背面研磨、背面金屬；其特征在于：所述工藝通過調(diào)整外延片的晶向，采用P型100晶向外延片或者襯底片作為拋光片，提高光的敏感度；同時發(fā)射區(qū)推進過程中采用小劑量注入+擴散的工藝，來保證放大倍數(shù)的可控性又保證了發(fā)射區(qū)接觸電阻。