一種P溝道VDMOS器件生產(chǎn)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610693325.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN106098782B 公開(kāi)（公告）日 2019-10-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN106098782B 申請(qǐng)公布日 2019-10-18
分類號(hào) H01L29/78;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄢細(xì)根;何火軍;楊振;趙鋁虎;潘國(guó)剛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 華越微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 紹興市越興專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 華越微電子有限公司
地址 312000 浙江省紹興市環(huán)城西路天光橋3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)一種P溝道VDMOS器件生產(chǎn)方法，包括在外延層上生成氧化層，在氧化層上覆蓋光刻膠層，然后帶膠N型雜質(zhì)注入步驟；高溫退火后在外延層上表面形成所需要的N型基區(qū)結(jié)深步驟；在氧化層上進(jìn)行硼雜質(zhì)注入步驟；在外延層上生成柵氧層，然后在柵氧層上進(jìn)行多晶硅淀積與摻雜，并再次利用多晶柵光刻版形成多晶硅柵層步驟；在柵氧層的局部區(qū)域覆蓋光刻膠，然后直接進(jìn)行源P+加工，在N型基區(qū)內(nèi)形成P+區(qū)步驟；以及最后淀積內(nèi)金屬絕緣層，同時(shí)在外延層的上表面和下表面分別設(shè)置金屬層形成標(biāo)準(zhǔn)的VDMOS器件步驟。上述P溝道VDMOS器件生產(chǎn)方法，可實(shí)現(xiàn)P溝道VDMOS器件的Vth值穩(wěn)定在2~4V之間，具有極高的穩(wěn)定性與合理性。