一種肖特基接觸二極管中的鈦金屬層

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201820476741.0 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN208157418U 公開（公告）日 2018-11-27
申請公布號(hào) CN208157418U 申請公布日 2018-11-27
分類號(hào) H01L29/872;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 潘國剛;周衛(wèi)宏;張曉新;余慶;趙鋁虎;鄢細(xì)根;周桂麗;秦永星;傅勁松;何火軍 申請（專利權(quán)）人 華越微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海精晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 華越微電子有限公司
地址 312000 浙江省紹興市環(huán)城西路天光橋3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種肖特基接觸二極管中的鈦金屬層，所述的肖特基接觸二極管包括硅襯底層、所述硅襯底層兩側(cè)有二氧化硅層，所述的兩側(cè)二氧化硅層之間的硅襯底層上濺射有鈦金屬層；所述的兩側(cè)二氧化硅層、鈦金屬層之上濺射有鋁層。本實(shí)用新型通過在濺射鋁前，增加一層很薄的鈦金屬層，通過后續(xù)鈦和硅發(fā)生反應(yīng)形成鈦硅化物層，從而改變肖特基勢壘電壓。通過調(diào)整不同的鈦層厚度，產(chǎn)生不同的勢壘電壓，從而實(shí)現(xiàn)電壓的可調(diào)性。