一種肖特基二極管劃片區(qū)氧化層

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201820475621.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN208225883U 公開（公告）日 2018-12-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN208225883U 申請(qǐng)公布日 2018-12-11
分類號(hào) H01L29/06;H01L29/872 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何火軍;張曉新;鄢細(xì)根;趙鋁虎;闞志國;潘國剛;周衛(wèi)宏;張敏森;傅勁松 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 華越微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海精晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 華越微電子有限公司
地址 312000 浙江省紹興市環(huán)城西路天光橋3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種肖特基二極管劃片區(qū)氧化層，所述的肖特基二極管劃片區(qū)包括背面金屬層，所述的背面金屬層上依次設(shè)有N+襯底層、N_外延層、勢(shì)壘層、氧化層和正面金屬層，且所述的勢(shì)壘層兩側(cè)光刻有P+保護(hù)環(huán)；所述的氧化層包括11000埃的場氧區(qū)氧化層，且11000埃的場氧區(qū)氧化層上開設(shè)有20微米寬4000埃的標(biāo)記區(qū)氧化層，且所述的20微米寬4000埃的標(biāo)記區(qū)氧化層位于P+保護(hù)環(huán)之上；使所述的11000埃的場氧區(qū)氧化層和4000埃的標(biāo)記區(qū)氧化層形成氧化層臺(tái)階。本實(shí)用新型既產(chǎn)生一種清晰可靠的切割基準(zhǔn)線，又避免劃片切割時(shí)硅過度裸露出來引起短路現(xiàn)象，解決了封裝良率低下的問題。