一種硅片的拋光后清洗方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010258268.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113496868A 公開（公告）日 2021-10-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN113496868A 申請(qǐng)公布日 2021-10-12
分類號(hào) H01L21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張俊寶;陳猛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海超硅半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 400714重慶市北碚區(qū)兩江新區(qū)云漢大道5號(hào)附188
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 采用一種混合清洗劑，混合清洗劑由隔離保濕劑、PH調(diào)節(jié)劑、緩釋劑、溶液C組成，混合清洗劑成分的配比范圍為：隔離保濕劑5～10wt%、PH調(diào)節(jié)劑0.5～1.5wt%、溶液94.5～88.5wt%；將上述成分按照其配比范圍配置均勻、穩(wěn)定的混合清洗劑，對(duì)拋光后的硅片進(jìn)行浸沒式清洗?；旌锨逑磩┰诠杵砻嫘纬梢粚颖Ｗo(hù)層，防止拋光液殘留的斑點(diǎn)發(fā)生和不純物的干燥固著，抑制硅片表面氧化膜的形成，同時(shí)捕捉拋光過程中產(chǎn)生的金屬離子、防止硅片受到金屬污染，硅片與拋光液殘留物、金屬離子等所有污染顆粒都被混合清洗劑有效包裹起來，防止硅片表面污染，極大地提升拋光與清洗工序的效率、提高產(chǎn)品合格率。