一種集成電路用單晶硅片堿腐蝕去除量的控制方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010258257.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113496886A 公開（公告）日 2021-10-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN113496886A 申請(qǐng)公布日 2021-10-12
分類號(hào) H01L21/306（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張俊寶;陳猛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 重慶超硅半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 400714重慶市北碚區(qū)兩江新區(qū)云漢大道5號(hào)附188
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種集成電路用單晶硅片堿腐蝕去除量的控制方法，采用KOH配制堿腐蝕液；通過KOH腐蝕液濃度c，腐蝕溫度T，超聲波強(qiáng)度I和超聲波頻率f，來確定單晶硅片的堿腐蝕反應(yīng)速率v；根據(jù)工序要求的堿腐蝕去除量D和腐蝕速度v，確定堿腐蝕所需要的理論時(shí)間te；根據(jù)理論時(shí)間te，確定實(shí)際腐蝕時(shí)間toperation，當(dāng)實(shí)際腐蝕時(shí)間toperation在取值范圍之內(nèi)時(shí)，很好地滿足工序生產(chǎn)時(shí)間和硅片質(zhì)量的要求；當(dāng)實(shí)際腐蝕時(shí)間toperation不在取值范圍之內(nèi)時(shí)，調(diào)整工藝參數(shù)KOH腐蝕液濃度c和腐蝕溫度T，使實(shí)際腐蝕時(shí)間toperation在取值范圍之內(nèi)；按照實(shí)際腐蝕時(shí)間toperation，采用所配KOH腐蝕液對(duì)單晶硅片進(jìn)行腐蝕，對(duì)比實(shí)際腐蝕去除量Dget和工序要求的堿腐蝕去除量D，確認(rèn)腐蝕控制效果。本發(fā)明可使二者的差值控制在5%之內(nèi)。