一種集成電路硅片表面氧化膜自適應(yīng)均勻腐蝕方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010258262.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113496891A 公開（公告）日 2021-10-12
申請公布號 CN113496891A 申請公布日 2021-10-12
分類號 H01L21/311（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 羅繼薇;張俊寶;陳猛 申請（專利權(quán)）人 重慶超硅半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 400714重慶市北碚區(qū)兩江新區(qū)云漢大道5號附188號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種集成硅片（wafer）表面氧化膜均勻腐蝕去膜方法，應(yīng)用于集成電路硅片分析過程中硅片表面膜層的均勻腐蝕。本發(fā)明方法包含硅片吸附夾具和表面腐蝕方法。硅片吸附夾具主要由托盤、支架、真空管路和高度調(diào)整四部分組成，托盤上面有三個(gè)真空吸盤，等分分布在以托盤中心為圓心的圓周上，通過內(nèi)部管路聯(lián)通真空吸附硅片，通過高度控制器使硅片處于水平狀態(tài)。硅片表面膜層的均勻腐蝕方法為在硅片中心滴一滴腐蝕液，然后三個(gè)真空吸盤按照一定的頻率振動，使腐蝕液滴在硅片表面勻速以螺紋漸開線形式運(yùn)動，從硅片中心一直運(yùn)動到硅片邊緣，達(dá)到硅片表面膜層均勻去除的目的。