一種集成電路用硅片的均勻腐蝕方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010258298.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113496887A 公開(kāi)（公告）日 2021-10-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN113496887A 申請(qǐng)公布日 2021-10-12
分類號(hào) H01L21/306（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張俊寶;陳猛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 重慶超硅半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 400714重慶市北碚區(qū)兩江新區(qū)云漢大道5號(hào)附188
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種集成電路用單晶硅片的均勻腐蝕方法。采用HNO3、HF及表面活性劑C配制的酸腐蝕液對(duì)硅片進(jìn)行腐蝕；通過(guò)用戶的TTV要求確定最大厚度偏差變化；通過(guò)工藝要求的腐蝕厚度D和酸腐蝕液對(duì)硅片的腐蝕速度S確定腐蝕時(shí)間te，再通過(guò)最大厚度偏差變化與硅片旋轉(zhuǎn)v、機(jī)械手搖動(dòng)頻率f及通入氣體鼓泡時(shí)間t的關(guān)系，獲得鼓泡時(shí)間t；并根據(jù)鼓泡時(shí)間t和腐蝕時(shí)間te的關(guān)系確定是否為均勻腐蝕；當(dāng)滿足條件時(shí)，即可實(shí)現(xiàn)均勻腐蝕；如果不滿足條件，可調(diào)高硅片旋轉(zhuǎn)v和機(jī)械手搖動(dòng)頻率f，從而滿足條件，實(shí)現(xiàn)均勻腐蝕。