一種二硫化鉬場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法和應(yīng)用
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010748373.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111969058B | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111969058B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/34（2006.01）I;H01L21/44（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 高慶國(guó) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 電子科技大學(xué)中山學(xué)院 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京一枝筆知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 528400廣東省中山市石岐區(qū)學(xué)院路1號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體公開(kāi)了一種二硫化鉬場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法和應(yīng)用，該二硫化鉬場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括依次設(shè)置的襯底層、第一金屬層、第一柵介質(zhì)層與二硫化鉬半導(dǎo)體薄膜層，二硫化鉬半導(dǎo)體薄膜層兩側(cè)分別設(shè)有源接觸電極與漏接觸電極，第二、第三柵介質(zhì)層以及第二金屬層，第二金屬層穿過(guò)第一柵介質(zhì)層、第二和第三柵介質(zhì)層與第一金屬層接觸。本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)設(shè)置第一金屬層與第二金屬層分別作為底柵和頂柵來(lái)同時(shí)控制二硫化鉬溝道，增強(qiáng)對(duì)溝道的靜電控制能力，有助于進(jìn)一步縮小尺寸，同時(shí)提升器件低功耗性能和高頻性能表現(xiàn)，解決了現(xiàn)有二硫化鉬場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)在低功耗性能和高頻性能方面存在不足的問(wèn)題。 |
