一種二硫化鉬場效應(yīng)晶體管及其制備方法和應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010748373.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111969058B 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN111969058B 申請公布日 2022-07-01
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/34（2006.01）I;H01L21/44（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高慶國 申請（專利權(quán)）人 電子科技大學中山學院
代理機構(gòu) 北京一枝筆知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 528400廣東省中山市石岐區(qū)學院路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種二硫化鉬場效應(yīng)晶體管及其制備方法和應(yīng)用，該二硫化鉬場效應(yīng)晶體管包括依次設(shè)置的襯底層、第一金屬層、第一柵介質(zhì)層與二硫化鉬半導體薄膜層，二硫化鉬半導體薄膜層兩側(cè)分別設(shè)有源接觸電極與漏接觸電極，第二、第三柵介質(zhì)層以及第二金屬層，第二金屬層穿過第一柵介質(zhì)層、第二和第三柵介質(zhì)層與第一金屬層接觸。本發(fā)明實施例通過設(shè)置第一金屬層與第二金屬層分別作為底柵和頂柵來同時控制二硫化鉬溝道，增強對溝道的靜電控制能力，有助于進一步縮小尺寸，同時提升器件低功耗性能和高頻性能表現(xiàn)，解決了現(xiàn)有二硫化鉬場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)在低功耗性能和高頻性能方面存在不足的問題。