一種基于ZnO半導(dǎo)體的高靈敏的氣敏器件的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210270430.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114646670A 公開（公告）日 2022-06-21
申請公布號 CN114646670A 申請公布日 2022-06-21
分類號 G01N27/12（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 劉黎明;惠裕充;賈強(qiáng)生;張小文;姚登莉 申請（專利權(quán)）人 電子科技大學(xué)中山學(xué)院
代理機(jī)構(gòu) 重慶萃智邦成專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 528402廣東省中山市石岐區(qū)學(xué)院路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及半導(dǎo)體氣敏器件技術(shù)領(lǐng)域，具體提供了一種基于ZnO半導(dǎo)體的高靈敏的氣敏器件的制備方法，該方法包括如下步驟：S1，制備ZnO納米片；S2，制備基于ZnO半導(dǎo)體的氣敏器件；S3，利用氫等離子體進(jìn)行增敏處理。本發(fā)明提供一種無需貴金屬摻雜的基于ZnO半導(dǎo)體的高靈敏的氣敏器件的制備方法，有效降低制備成本；同時使用氫等離子體技術(shù)在ZnO半導(dǎo)體表面產(chǎn)生氧空位，從而提升氣敏器件的靈敏度，靈敏度能夠提高到原來的5倍以上，因此，本發(fā)明方法制備的氣敏器件的靈敏度較高。另外，本發(fā)明方法制備的氣敏器件還具有檢測范圍寬、使用方便的優(yōu)點。