一種硅基底的清洗方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201910699009.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110491772A | 公開(公告)日 | 2019-11-22 |
申請公布號 | CN110491772A | 申請公布日 | 2019-11-22 |
分類號 | H01L21/02(2006.01); B08B7/00(2006.01) | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 辛培培 | 申請(專利權)人 | 烯灣科城(廣州)新材料有限公司 |
代理機構 | 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人 | 深圳烯灣科技有限公司;烯灣科城(廣州)新材料有限公司 |
地址 | 510700 廣東省廣州市黃埔區(qū)中新廣州知識城億創(chuàng)街1號406房之48 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種硅基底清洗方法,包括如下步驟:獲取殘留有碳納米管和其他雜質的硅基底,對所述硅基底進行高溫灼燒處理;對經(jīng)所述高溫灼燒處理后的硅基底進行物理清洗;對經(jīng)物理清洗處理后的硅基底進行吹干,隨后得到可重復使用的硅基底。清洗后硅片表面顏色均勻一致,無斑點、灰印問題;二次碳納米管生長試驗表明碳納米管產(chǎn)量達到新硅片的91%?94%,基本達到目標要求。 |
