碳納米管陣列的表面修飾方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810276885.6 申請日 -
公開（公告）號 CN108314009B 公開（公告）日 2020-11-20
申請公布號 CN108314009B 申請公布日 2020-11-20
分類號 C01B32/162;C01B32/159;B82Y40/00 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 鄧飛 申請（專利權(quán)）人 烯灣科城（廣州）新材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 烯灣科城（廣州）新材料有限公司;深圳烯灣科技有限公司
地址 510700 廣東省廣州市黃埔區(qū)中新廣州知識城億創(chuàng)街1號406房之48
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種碳納米管陣列的表面修飾方法。上述碳納米管陣列的表面修飾方法，通過將碳納米管陣列和高分子聚合物置于高能紫外光下進(jìn)行高能紫外光處理，并設(shè)定高能紫外光的照射功率為15mW～35mW，設(shè)定高能紫外光為照射波長λ為150nm～350nm的單色窄帶光，從而使得高分子聚合物能夠接枝到碳納米管陣列的表面；上述碳納米管陣列的表面修飾方法，不需要將碳納米管陣列分散在溶劑中再進(jìn)行后續(xù)處理，不會破壞碳納米管陣列的陣列結(jié)構(gòu)，有利于再進(jìn)行紡絲處理，也避免了試用有毒試劑而造成人體和環(huán)境的傷害，同時(shí)，上述方法只需進(jìn)行高能紫外光處理20min～50min即可完成碳納米管陣列的表面修飾，反應(yīng)時(shí)間短，能耗低且效率高。