一種硅基底的清洗方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910699156.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110491773A 公開（公告）日 2019-11-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN110491773A 申請(qǐng)公布日 2019-11-22
分類號(hào) H01L21/02（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 辛培培 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 烯灣科城（廣州）新材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 深圳烯灣科技有限公司;烯灣科城（廣州）新材料有限公司
地址 510700 廣東省廣州市黃埔區(qū)中新廣州知識(shí)城億創(chuàng)街1號(hào)406房之48
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種硅基底清洗方法，包括如下步驟：獲取殘留有碳納米管和其他雜質(zhì)的硅基底，對(duì)所述硅基底進(jìn)行高溫灼燒；對(duì)經(jīng)高溫灼燒的硅基底用酸溶液進(jìn)行化學(xué)清洗處理；對(duì)經(jīng)化學(xué)清洗處理后的硅基底進(jìn)行物理清洗處理；對(duì)經(jīng)物理清洗處理后的硅基底進(jìn)行吹干，隨后得到可重復(fù)使用的硅基底。清洗后硅片表面顏色均勻一致，無斑點(diǎn)、灰印問題；二次碳納米管生長試驗(yàn)表明碳納米管產(chǎn)量達(dá)到新硅片的90％?97.8％，基本達(dá)到目標(biāo)要求。