銅銦鎵硫硒太陽能電池、薄膜吸收層及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310198708.8 申請日 -
公開（公告）號 CN103318851B 公開（公告）日 2017-02-15
申請公布號 CN103318851B 申請公布日 2017-02-15
分類號 C01B19/00(2006.01)I;C01G15/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I 分類 無機化學(xué);
發(fā)明人 徐東;徐永清;湯珅 申請（專利權(quán)）人 深圳市亞太興實業(yè)有限公司
代理機構(gòu) 深圳鼎合誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐東
地址 230000 安徽省潁上縣慎城鎮(zhèn)龍門居委會人民東路21-2-3戶
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種銅銦鎵硫硒薄膜吸收層制備方法，包括以下步驟：制備前驅(qū)體溶液;制備前驅(qū)體薄膜；對前驅(qū)體薄膜進行熱處理；制備具有Ga梯度分布的CuIn1?xGaxS2薄膜；將Ga梯度分布的CuIn1?xGaxS2薄膜在硒化爐中進行硒化處理，制得CuIn1?xGax(S,Se)2薄膜吸收層。本申請還公開一種銅銦鎵硫硒薄膜吸收層和包括銅銦鎵硫硒薄膜吸收層的電池。由于前驅(qū)體溶液組分可調(diào)，通過調(diào)整溶液中In︰Ga摩爾比，實現(xiàn)Ga在吸收層中的梯度分布；同時利用硒化過程中Se原子部分取代S原子的體積膨脹效應(yīng)，使銅銦鎵硫硒薄膜的結(jié)構(gòu)致密化，且通過Se原子取代S原子可以調(diào)節(jié)吸收層的禁帶寬度。