銅銦鎵硫硒太陽能電池、薄膜吸收層及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310198708.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103318851B 公開（公告）日 2017-02-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN103318851B 申請(qǐng)公布日 2017-02-15
分類號(hào) C01B19/00(2006.01)I;C01G15/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 徐東;徐永清;湯珅 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市亞太興實(shí)業(yè)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳鼎合誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐東
地址 230000 安徽省潁上縣慎城鎮(zhèn)龍門居委會(huì)人民東路21-2-3戶
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開了一種銅銦鎵硫硒薄膜吸收層制備方法，包括以下步驟：制備前驅(qū)體溶液;制備前驅(qū)體薄膜；對(duì)前驅(qū)體薄膜進(jìn)行熱處理；制備具有Ga梯度分布的CuIn1?xGaxS2薄膜；將Ga梯度分布的CuIn1?xGaxS2薄膜在硒化爐中進(jìn)行硒化處理，制得CuIn1?xGax(S,Se)2薄膜吸收層。本申請(qǐng)還公開一種銅銦鎵硫硒薄膜吸收層和包括銅銦鎵硫硒薄膜吸收層的電池。由于前驅(qū)體溶液組分可調(diào)，通過調(diào)整溶液中In︰Ga摩爾比，實(shí)現(xiàn)Ga在吸收層中的梯度分布；同時(shí)利用硒化過程中Se原子部分取代S原子的體積膨脹效應(yīng)，使銅銦鎵硫硒薄膜的結(jié)構(gòu)致密化，且通過Se原子取代S原子可以調(diào)節(jié)吸收層的禁帶寬度。