摻鍺的銅鋅錫硫硒薄膜制備方法、薄膜及太陽能電池

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310198831.X 申請日 -
公開（公告）號 CN103346201B 公開（公告）日 2016-11-23
申請公布號 CN103346201B 申請公布日 2016-11-23
分類號 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐東;徐永清;湯珅 申請（專利權(quán)）人 深圳市亞太興實業(yè)有限公司
代理機構(gòu) 深圳鼎合誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 任葵
地址 230000 安徽省潁上縣慎城鎮(zhèn)龍門居委會人民東路21-2-3戶
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開一種摻鍺的銅鋅錫硫硒薄膜制備方法，包括:制備CuS納米顆粒；制備摻Ge的前驅(qū)體漿料;制備摻Ge的前驅(qū)體薄膜;對摻Ge的前驅(qū)體薄膜進行硫化處理，得Cu2ZnSn1?xGexS4薄膜；對Cu2ZnSn1?xGexS4薄膜進行硒化處理，得Cu2ZnSn1?xGex(S,Se)4薄膜。本申請還公開了一種摻鍺的銅鋅錫硫硒薄膜和太陽能電池。本申請由于使用CuS納米顆粒，可促進晶粒生長和薄膜致密化；在制備前驅(qū)體漿料時摻入Ge，能調(diào)節(jié)CZTS薄膜禁帶寬度，提高CZTS電池光電轉(zhuǎn)換效率；本申請使用甲醇或乙醇等有機溶劑，硫化處理使用的硫源為固態(tài)硫粉，硒化處理所使用硒源為固態(tài)硒粉，整個生產(chǎn)過程對環(huán)境友好；利用硒化過程中Se原子部分取代S原子的體積膨脹效應(yīng)使薄膜的結(jié)構(gòu)致密化，調(diào)節(jié)CZTS吸收層的禁帶寬度，使其與太陽光譜更加匹配。