多層鈍化保護(hù)復(fù)合結(jié)構(gòu)芯片
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201721856628.7 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN207558776U | 公開(kāi)(公告)日 | 2018-06-29 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN207558776U | 申請(qǐng)公布日 | 2018-06-29 |
分類(lèi)號(hào) | H01L23/29 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 徐明星;史國(guó)順;夏冬生;周猛 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 萊商銀行股份有限公司濟(jì)寧兗州支行 |
代理機(jī)構(gòu) | 青島發(fā)思特專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 盧登濤 |
地址 | 272100 山東省濟(jì)寧市兗州區(qū)兗顏路路北(天齊廟村村西) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)一種多層鈍化保護(hù)復(fù)合結(jié)構(gòu)芯片,屬于半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域,包括芯片基底,芯片基底通過(guò)濕法蝕刻形成溝槽,溝槽的外側(cè)與芯片基底之間設(shè)有PN結(jié),溝槽的上方設(shè)有鈍化膜保護(hù)層,鈍化膜保護(hù)層覆蓋在溝槽的外部,鈍化膜保護(hù)層包括多層,從上到下依次為低溫氧化膜層、中溫氧化膜層、摻氧半絕緣多晶硅薄膜層、多晶硅薄膜層,本實(shí)用新型能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)裸漏PN結(jié)面的多層保護(hù),提高鈍化的效果。 |
