一種利用封裝打線電阻實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)的電路
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110686308.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113437725A | 公開（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113437725A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-24 |
| 分類號(hào) | H02H3/08（2006.01）I;H02H1/00（2006.01）I | 分類 | 發(fā)電、變電或配電; |
| 發(fā)明人 | 丁敏;楊琨;歐陽金星 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 南京微盟電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 杭州山泰專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 周玲 |
| 地址 | 210000江蘇省南京市玄武區(qū)玄武大道699-8號(hào)1號(hào)樓5樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種利用封裝打線電阻實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)的電路，包括電源VDD，偏置電流IBIAS，負(fù)載電流ILOAD，PMOS管M1、M2、M3、M4、POWER，NMOS管M5、M6，電阻R2，封裝打線電阻R3、R4，打線VOUTA PAD、VOUTP PAD，芯片管腳VOUT。本發(fā)明在使用時(shí)，可以直接檢測(cè)負(fù)載電流，不受MOSFET二級(jí)效應(yīng)的影響，且可用公式精確計(jì)算，精度高，同時(shí)去掉了M7和R1，節(jié)省版圖面積，相較于現(xiàn)有技術(shù)，本申請(qǐng)有效規(guī)避了現(xiàn)有過流保護(hù)電路的缺點(diǎn)，在提高過流保護(hù)精度的同時(shí)節(jié)省成本，使用效果極佳。 |
