一種雙溝道MOSFET器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210631851.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114709258A 公開(kāi)（公告）日 2022-07-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN114709258A 申請(qǐng)公布日 2022-07-05
分類號(hào) H01L29/423（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙浩宇;李偉聰;姜春亮;雷秀芳 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市威兆半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳鼎恒誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)桃源街道福光社區(qū)留仙大道3370號(hào)南山智園崇文園區(qū)3號(hào)樓1301
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種雙溝道MOSFET器件及其制造方法，器件包括至少一個(gè)元胞，元胞包括：漏區(qū)、第一漂移區(qū)、第二漂移區(qū)、橫向溝槽柵、體區(qū)、源區(qū)、豎向溝槽柵以及源極電極。第二漂移區(qū)位于第一漂移區(qū)的上方，橫向溝槽柵位于第二漂移區(qū)中，橫向溝槽柵包括橫向柵極以及第一柵介質(zhì)層；豎向溝槽柵包括豎向柵極以及第二柵介質(zhì)層；第二柵介質(zhì)層的底部與第二漂移區(qū)接觸，或第二柵介質(zhì)層的底部與第一柵介質(zhì)層接觸；其中，豎向柵極連接第二柵電極，橫向柵極連接第一柵電極。通過(guò)分別設(shè)立豎向柵極和橫向柵極，且將其分別引出不同的柵極電極，這樣就可以形成橫豎兩種不同的導(dǎo)電溝道。通過(guò)給不同的柵極電極分別加電壓，就可以有兩種不同電壓的閾值電壓。