一種半導(dǎo)體器件、終端結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210227409.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114335154B 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114335154B 申請公布日 2022-07-01
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姜春亮;李偉聰;雷秀芳 申請（專利權(quán)）人 深圳市威兆半導(dǎo)體股份有限公司
代理機構(gòu) 深圳鼎恒誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)桃源街道福光社區(qū)留仙大道3370號南山智園崇文園區(qū)3號樓1301
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體器件、終端結(jié)構(gòu)及其制造方法，終端結(jié)構(gòu)，包括基底、主結(jié)和至少一個場限環(huán)；基底包括襯底以及漂移區(qū)；場限環(huán)的第一摻雜區(qū)形成在漂移區(qū)上；主結(jié)形成在漂移區(qū)上，主結(jié)包括第二摻雜區(qū)；主結(jié)上形成有增強環(huán)，增強環(huán)包括多晶硅結(jié)構(gòu)以及位于多晶硅結(jié)構(gòu)下方的第三摻雜區(qū)。由于增強環(huán)的存在，耗盡區(qū)縮小，使得界面空穴陷阱分布更集中于主結(jié)，增強環(huán)表面對界面陷阱電荷的敏感性降低，進而退化應(yīng)力產(chǎn)生的熱載流子對于表面電場的影響得以降低，退化效應(yīng)得到緩解，抑制新的界面空穴電荷產(chǎn)生，加速器件在反向電流應(yīng)力下達到擊穿電壓的平衡態(tài)，提高了抑制擊穿電壓退化的能力，提高器件可靠性。