一種半導(dǎo)體器件、終端結(jié)構(gòu)及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210227409.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114335154B | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114335154B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 姜春亮;李偉聰;雷秀芳 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 深圳市威兆半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳鼎恒誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)桃源街道福光社區(qū)留仙大道3370號(hào)南山智園崇文園區(qū)3號(hào)樓1301 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種半導(dǎo)體器件、終端結(jié)構(gòu)及其制造方法，終端結(jié)構(gòu)，包括基底、主結(jié)和至少一個(gè)場(chǎng)限環(huán)；基底包括襯底以及漂移區(qū)；場(chǎng)限環(huán)的第一摻雜區(qū)形成在漂移區(qū)上；主結(jié)形成在漂移區(qū)上，主結(jié)包括第二摻雜區(qū)；主結(jié)上形成有增強(qiáng)環(huán)，增強(qiáng)環(huán)包括多晶硅結(jié)構(gòu)以及位于多晶硅結(jié)構(gòu)下方的第三摻雜區(qū)。由于增強(qiáng)環(huán)的存在，耗盡區(qū)縮小，使得界面空穴陷阱分布更集中于主結(jié)，增強(qiáng)環(huán)表面對(duì)界面陷阱電荷的敏感性降低，進(jìn)而退化應(yīng)力產(chǎn)生的熱載流子對(duì)于表面電場(chǎng)的影響得以降低，退化效應(yīng)得到緩解，抑制新的界面空穴電荷產(chǎn)生，加速器件在反向電流應(yīng)力下達(dá)到擊穿電壓的平衡態(tài)，提高了抑制擊穿電壓退化的能力，提高器件可靠性。 |
