一種IGBT器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210062869.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114093934B 公開（公告）日 2022-05-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN114093934B 申請(qǐng)公布日 2022-05-20
分類號(hào) H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李偉聰;姜春亮;雷秀芳 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市威兆半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳鼎恒誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)桃源街道福光社區(qū)留仙大道3370號(hào)南山智園崇文園區(qū)3號(hào)樓1301
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種IGBT器件及其制造方法，IGBT器件包括至少一個(gè)元胞，元胞包括第一電極、第二電極以及位于第一電極和第二電極之間的半導(dǎo)體單元，半導(dǎo)體單元包括：基區(qū)、源區(qū)、漂移區(qū)以及集電區(qū)，源區(qū)和基區(qū)之間形成第一PN結(jié)，還包括溝槽柵結(jié)構(gòu)以及PN結(jié)結(jié)構(gòu)，PN結(jié)結(jié)構(gòu)形成在柵介質(zhì)層中且位于柵極的遠(yuǎn)離溝道區(qū)的至少一側(cè)，PN結(jié)結(jié)構(gòu)中的第一導(dǎo)電類型區(qū)與第一電極電連接，PN結(jié)結(jié)構(gòu)中的第二導(dǎo)電類型區(qū)浮空在柵介質(zhì)層中。由于在正向耐壓過程中，第二導(dǎo)電類型區(qū)的電勢(shì)會(huì)得到抬高，第二電極的電壓維持不變，因此耗盡層電容上的電荷無法被泄放，第二導(dǎo)電類型區(qū)維持較高的電勢(shì)，從而使得周圍槽柵底部的電勢(shì)得到抬高，從而抑制柵介質(zhì)層底部的空穴堆積，而抑制位移電流的產(chǎn)生。