一種IGBT器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210062869.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114093934B 公開（公告）日 2022-05-20
申請公布號 CN114093934B 申請公布日 2022-05-20
分類號 H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李偉聰;姜春亮;雷秀芳 申請（專利權）人 深圳市威兆半導體股份有限公司
代理機構 深圳鼎恒誠知識產權代理有限公司 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)桃源街道福光社區(qū)留仙大道3370號南山智園崇文園區(qū)3號樓1301
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種IGBT器件及其制造方法，IGBT器件包括至少一個元胞，元胞包括第一電極、第二電極以及位于第一電極和第二電極之間的半導體單元，半導體單元包括：基區(qū)、源區(qū)、漂移區(qū)以及集電區(qū)，源區(qū)和基區(qū)之間形成第一PN結，還包括溝槽柵結構以及PN結結構，PN結結構形成在柵介質層中且位于柵極的遠離溝道區(qū)的至少一側，PN結結構中的第一導電類型區(qū)與第一電極電連接，PN結結構中的第二導電類型區(qū)浮空在柵介質層中。由于在正向耐壓過程中，第二導電類型區(qū)的電勢會得到抬高，第二電極的電壓維持不變，因此耗盡層電容上的電荷無法被泄放，第二導電類型區(qū)維持較高的電勢，從而使得周圍槽柵底部的電勢得到抬高，從而抑制柵介質層底部的空穴堆積，而抑制位移電流的產生。