一種改善短路特性的碳化硅MOS器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210502977.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114613849A 公開(kāi)（公告）日 2022-06-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN114613849A 申請(qǐng)公布日 2022-06-10
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李偉聰;姜春亮;雷秀芳;林泳浩 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市威兆半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京惟盛達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)桃源街道福光社區(qū)留仙大道3370號(hào)南山智園崇文園區(qū)3號(hào)樓1301
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種改善短路特性的碳化硅MOS器件，通過(guò)摻雜薄層的設(shè)置，當(dāng)柵壓大于閾值電壓時(shí)，摻雜薄層內(nèi)形成導(dǎo)電溝道，由于溝道遠(yuǎn)離阱區(qū)與柵氧化層接觸面，不受到界面散射，溝道載流子遷移率增加，使器件具有更低的導(dǎo)通電阻。同時(shí)通過(guò)電流引導(dǎo)層的設(shè)置，從摻雜薄層內(nèi)形成的導(dǎo)電溝道流出的電流實(shí)現(xiàn)橫向擴(kuò)展，再進(jìn)行縱向流動(dòng)，進(jìn)一步降低導(dǎo)通電阻。通過(guò)夾斷層的設(shè)置，當(dāng)器件處于短路狀態(tài)時(shí)，在漏極的高電壓作用下，夾斷層被耗盡，電流通路減小，器件電阻增加，從而有效限制短路電流密度。本發(fā)明的碳化硅MOS器件在實(shí)現(xiàn)正常工作狀態(tài)下低導(dǎo)通電阻的同時(shí)，有效降低在短路狀態(tài)下的電流密度，保護(hù)器件不被燒毀。