槽柵超結(jié)VDMOS器件、芯片及終端設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110581224.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113327984B 公開（公告）日 2022-07-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN113327984B 申請(qǐng)公布日 2022-07-12
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 任敏;李長(zhǎng)澤;李澤宏;李偉聰;林泳浩 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市威兆半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市嘉勤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)桃源街道福光社區(qū)留仙大道3370號(hào)南山智園崇文園區(qū)3號(hào)樓1301
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開一種槽柵超結(jié)VDMOS器件、芯片及終端設(shè)備。該槽柵超結(jié)VDMOS器件包括元胞結(jié)構(gòu)和開關(guān)管；元胞結(jié)構(gòu)包括超結(jié)結(jié)構(gòu)，超結(jié)結(jié)構(gòu)的頂端設(shè)有溝槽柵極結(jié)構(gòu)，溝槽柵極結(jié)構(gòu)包括從上至下依次層疊設(shè)置的N型多晶硅區(qū)和P型多晶硅區(qū)，N型多晶硅區(qū)的上表面設(shè)有金屬層，P型多晶硅區(qū)通過多晶走線與柵極連接，溝槽柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)分別設(shè)有P型基區(qū)，每側(cè)的P型基區(qū)的上表面均設(shè)有相接觸的N+源區(qū)和P+體區(qū)，且N+源區(qū)緊鄰溝槽柵極結(jié)構(gòu)，每側(cè)的N+源區(qū)的部分上表面和P+體區(qū)的上表面設(shè)有源極金屬；開關(guān)管跨接在金屬層與源極金屬之間，當(dāng)開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，P型基區(qū)的表面形成供電流通過的導(dǎo)電溝道。本申請(qǐng)可以提高反向恢復(fù)特性。