一種IGBT器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210327695.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114420561B 公開（公告）日 2022-07-15
申請公布號 CN114420561B 申請公布日 2022-07-15
分類號 H01L21/331（2006.01）I;H01L23/544（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姜春亮;李偉聰;雷秀芳 申請（專利權(quán)）人 深圳市威兆半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳鼎恒誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)桃源街道福光社區(qū)留仙大道3370號南山智園崇文園區(qū)3號樓1301
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種IGBT器件及其制造方法，制造方法包括：在基底的漂移區(qū)上方形成平面柵結(jié)構(gòu)；在漂移區(qū)上形成基區(qū)以及體區(qū)；在基區(qū)上形成發(fā)射區(qū)，在體區(qū)上形成控制柵區(qū)；形成覆蓋平面柵結(jié)構(gòu)以及漂移區(qū)的介質(zhì)層；形成貫穿介質(zhì)層的第一電極、控制電極以及采樣電極；第一電極分別與發(fā)射區(qū)以及接觸區(qū)電連接，控制電極與控制柵區(qū)電連接，采樣電極與體區(qū)電連接；體區(qū)、控制柵區(qū)、采樣電極以及控制電極構(gòu)成電流采樣結(jié)構(gòu)。在IGBT器件制造過程中在漂移區(qū)上形成電流采樣結(jié)構(gòu)，利用采樣電極可以獲取到電流信號，通過控制電極施加不同大小的電壓可以控制電流采樣的比例，實(shí)現(xiàn)電流便捷采樣，并形成一種集成可控的電流采樣結(jié)構(gòu)及IGBT器件。