一種高離子傳導(dǎo)率、高機(jī)械性能的陰離子交換薄膜的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911235379.3 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN112928316A 公開(公告)日 2021-06-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN112928316A 申請(qǐng)公布日 2021-06-08
分類號(hào) H01M8/1072;H01M8/102 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張彥峰;李臻;丁書江;肖春輝;吳嘉;行遠(yuǎn) 申請(qǐng)(專利權(quán))人 陜西全通實(shí)業(yè)集團(tuán)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市誠(chéng)輝律師事務(wù)所 代理人 范盈
地址 710049 陜西省西安市碑林區(qū)咸寧西路28號(hào)西安交通大學(xué)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高離子傳導(dǎo)率、高機(jī)械性能的陰離子交換薄膜的制備方法,包括以下步驟:環(huán)狀雙烯體與鹵代親雙烯體通過(guò)高效的狄爾斯?阿爾德反應(yīng)(D?A反應(yīng))生成降冰片烯結(jié)構(gòu)的單體;使用叔胺對(duì)單體進(jìn)行季銨化修飾;利用開環(huán)易位聚合(ROMP)、溶劑流延成膜法制備得到陰離子交換薄膜。將陰離子交換薄膜浸泡在堿液中進(jìn)行氫氧根離子交換得到堿性陰離子交換薄膜。該薄膜具有良好的氫氧根離子傳導(dǎo)性以及優(yōu)異的力學(xué)性能。整個(gè)合成過(guò)程的步驟簡(jiǎn)單、原料價(jià)格低廉且容易獲得。