一種測試半導體結構擊穿的設備、系統(tǒng)和方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110564858.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113514738A 公開（公告）日 2021-10-19
申請公布號 CN113514738A 申請公布日 2021-10-19
分類號 G01R31/12（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 王志強 申請（專利權）人 長江存儲科技有限責任公司
代理機構 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 楊麗爽
地址 430074湖北省武漢市武漢東湖新技術開發(fā)區(qū)未來三路88號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环N測試半導體結構擊穿的設備、系統(tǒng)和方法，該設備包括：第一支路和第二支路，第一支路的阻抗大于第二支路的阻抗，第一支路的第一端用于連接半導體結構的第二端，第一支路的第二端接地，第二支路的第一端用于連接電壓源，第二支路的第二端接地，測試半導體結構的擊穿時，半導體結構的第一端連接電壓源，第二支路斷開，第一支路導通以使半導體結構被電壓源擊穿進行擊穿測試，半導體結構被擊穿后，第二支路導通，第一支路斷開。從而可以在半導體結構被擊穿后，減輕對擊穿后的半導體結構的進一步損傷，方便研究人員后期對擊穿失效位置的第一現(xiàn)場進行物理失效分析。