三維存儲器、其制作方法及具有其的存儲系統(tǒng)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110790963.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113517298A | 公開(公告)日 | 2021-10-19 |
申請公布號 | CN113517298A | 申請公布日 | 2021-10-19 |
分類號 | H01L27/1157(2017.01)I;H01L27/11582(2017.01)I;H01L27/11575(2017.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 吳采宇;蒲浩;高庭庭;李拓 | 申請(專利權(quán))人 | 長江存儲科技有限責任公司 |
代理機構(gòu) | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 | 代理人 | 王曉玲 |
地址 | 430074湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)未來三路88號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請?zhí)峁┝艘环N三維存儲器、其制作方法及具有其的存儲系統(tǒng)。該制作方法包括以下步驟:提供襯底,襯底上具有堆疊體;在堆疊體上形成導電介質(zhì)層,并形成由導電介質(zhì)層貫穿至堆疊體的頂部選擇柵切線;在堆疊體和導電介質(zhì)層中形成貫穿至襯底的多排溝道孔列,并在各排溝道孔列中的溝道通孔中形成溝道結(jié)構(gòu)。通過將頂部選擇柵切線的制作工序移至填充控制柵結(jié)構(gòu)的步驟之前,降低了現(xiàn)有制作選擇柵切線的步驟中需要刻蝕多層材料而導致的工藝困難,有利于柵極隔槽見溝道孔數(shù)量的增加,進而有利于器件存儲密度的提升。 |
