碳膜的制備方法、碳膜、以及刻蝕方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202110342145.X | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN113517189A | 公開（公告）日 | 2021-10-19 |
| 申請公布號 | CN113517189A | 申請公布日 | 2021-10-19 |
| 分類號 | H01L21/311（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳廣輝 | 申請（專利權）人 | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 代理機構 | 上海盈盛知識產權代理事務所（普通合伙） | 代理人 | 孫佳胤 |
| 地址 | 430074湖北省武漢市東湖新技術開發(fā)區(qū)未來三路88號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種碳膜的制備方法、碳膜、以及刻蝕方法。包括如下步驟：將一晶圓置于反應室中；采用等離子體混合氣體轟擊石墨烯靶材，在晶圓表面形成包含未成鍵的C、N原子的碳膜；退火，以激活未成鍵的C、N原子，形成共價鍵，得到碳膜。本發(fā)明制備出的碳膜硬度高、選擇比高，可以大大提高刻蝕的效率。 |
