晶圓處理方法和制造半導(dǎo)體器件的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110793117.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113517192A 公開（公告）日 2021-10-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN113517192A 申請(qǐng)公布日 2021-10-19
分類號(hào) H01L21/324（2006.01）I;H01L27/11524（2017.01）I;H01L27/11551（2017.01）I;H01L27/1157（2017.01）I;H01L27/11578（2017.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫璐 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 北京英思普睿知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉瑩;聶國斌
地址 430000湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)未來三路88號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N晶圓處理方法和制造半導(dǎo)體器件的方法。該晶圓處理方法包括：在晶圓的邊緣或附件設(shè)置具有至少一個(gè)通孔的保護(hù)件，該至少一個(gè)通孔至少與晶圓的邊緣部分對(duì)應(yīng)；利用加熱設(shè)備輻射的熱量對(duì)晶圓進(jìn)行熱處理，其中所述熱量中的一部分穿過至少一個(gè)通孔對(duì)晶圓的邊緣部分進(jìn)行加熱，所述熱量中的另一部分直接對(duì)晶圓的除邊緣部分之外的其余部分加熱。根據(jù)本申請(qǐng)的晶圓處理方法，可以通過保護(hù)件調(diào)節(jié)晶圓邊緣部分接收到的熱量，從而調(diào)節(jié)應(yīng)力，調(diào)節(jié)晶圓的中心/中部/邊緣區(qū)域的彎曲，從而平衡整片晶圓的彎曲，也有益于后續(xù)的處理工藝，減小晶圓邊緣產(chǎn)生裂紋的可能性，提高晶圓的良率。