三維存儲裝置及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202180001810.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113519055A 公開（公告）日 2021-10-19
申請公布號 CN113519055A 申請公布日 2021-10-19
分類號 H01L27/11548（2017.01）I;H01L27/11556（2017.01）I;H01L27/11575（2017.01）I;H01L27/11582（2017.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張坤 申請（專利權）人 長江存儲科技有限責任公司
代理機構 北京永新同創(chuàng)知識產權代理有限公司 代理人 林錦輝;劉景峰
地址 430074湖北省武漢市東湖新技術開發(fā)區(qū)未來三路88號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開了三維（3D）存儲裝置及其形成方法。在某些方面，3D存儲裝置包括第一半導體結構、與第一半導體結構相對的第二半導體結構、以及在第一半導體結構和第二半導體結構之間的界面層。第一半導體結構包括具有多個交錯的堆疊導電層和堆疊電介質層的存儲堆疊層。第二半導體結構包括電連接到存儲堆疊層的多個外圍電路。界面層包括單晶硅和在存儲堆疊層與外圍電路之間的多個互連。