一種InGaAsP材料掩埋波導(dǎo)結(jié)構(gòu)超輻射發(fā)光二極芯片的制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610286233.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105895754B 公開(kāi)（公告）日 2018-08-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN105895754B 申請(qǐng)公布日 2018-08-31
分類號(hào) H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳瑞華;唐琦 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 武漢光安倫光電技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 武漢光安倫光電技術(shù)有限公司
地址 430074 湖北省武漢市東湖開(kāi)發(fā)區(qū)光谷金融港B26-802
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種InGaAsP材料掩埋波導(dǎo)結(jié)構(gòu)超輻射發(fā)光二極管芯片的制作方法，包括：在摻硫的InP磷化銦襯底上采用MOCVD外延生長(zhǎng)技術(shù)依次生長(zhǎng)緩沖層、下限制層、多量子阱有源區(qū)、上限制層和P型歐姆接觸層，構(gòu)成一次外延片；對(duì)一次外延片進(jìn)行刻蝕形成脊，在MOCVD反應(yīng)室中采用高溫及有大流量PH3磷烷氣體保護(hù)條件下對(duì)一次外延片進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的烘烤，再降到低溫條件下繼續(xù)采用MOCVD外延生長(zhǎng)技術(shù)對(duì)脊的側(cè)面進(jìn)行掩埋生長(zhǎng)；繼續(xù)采用MOCVD外延生長(zhǎng)技術(shù)生成高摻的覆蓋層和接觸層；通過(guò)光刻、刻蝕、濺射工藝、合金、劃片解理制作成超輻射發(fā)光二極管芯片。本發(fā)明所提供的制作方法的優(yōu)點(diǎn)在于：材料生長(zhǎng)出的界面缺陷少，質(zhì)量可靠，制成的器件可靠性高，高功率，寬光譜及高溫工作表現(xiàn)。