臺(tái)面PIN的側(cè)面鈍化結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201720420864.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN206711902U | 公開(kāi)（公告）日 | 2017-12-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN206711902U | 申請(qǐng)公布日 | 2017-12-05 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/105(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉志鋒;唐琦;許海明 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 武漢光安倫光電技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 武漢光安倫光電技術(shù)有限公司;湖北光安倫科技有限公司 |
| 地址 | 430074 湖北省武漢市東湖開(kāi)發(fā)區(qū)光谷金融港B26-802 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供了一種臺(tái)面PIN的側(cè)面鈍化結(jié)構(gòu)，包括半絕緣InP襯底以及在半絕緣InP襯底上面依次生長(zhǎng)的緩沖層、N++型InP層、InGaAs吸收層、InGaAsP過(guò)渡層、P++型InP的CAP層和InGaAs接觸層，該半絕緣InP襯底上面依次生長(zhǎng)的緩沖層、N++型InP層、InGaAs吸收層、InGaAsP過(guò)渡層、P++型InP的CAP層和InGaAs接觸層構(gòu)成了階梯層臺(tái)面，該階梯層臺(tái)面的側(cè)壁上生長(zhǎng)有本征InP層，所述本征InP層上依次生長(zhǎng)有SIO2層以及SINx層。本實(shí)用新型提供使用了和芯片材料相同的本征InP對(duì)臺(tái)面?zhèn)让孢M(jìn)行掩埋，在滿(mǎn)足了芯片光電性能的同時(shí)克服了暗電流不可控、高溫可靠性差等問(wèn)題，給臺(tái)面類(lèi)型的高速接收芯片的制備工藝提供了一種新的方法。 |
