一種BH結(jié)構(gòu)激光器芯片的脊波導結(jié)構(gòu)的制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010032688.7 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111342343A | 公開（公告）日 | 2020-06-26 |
| 申請公布號 | CN111342343A | 申請公布日 | 2020-06-26 |
| 分類號 | H01S5/22(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 李紫謙;張恩;許海明 | 申請（專利權(quán)）人 | 武漢光安倫光電技術(shù)有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 武漢光安倫光電技術(shù)有限公司 |
| 地址 | 430074湖北省武漢市東湖開發(fā)區(qū)光谷金融港B26-802 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及信息光電子技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種BH結(jié)構(gòu)激光器芯片的脊波導結(jié)構(gòu)，包括如下步驟：S1，于InP襯底上進行第一次外延生長，獲得第一晶圓結(jié)構(gòu)；S2，在所述第一晶圓結(jié)構(gòu)的上表面進行光柵圖形制作，以獲得第二晶圓結(jié)構(gòu)；S3，于所述第二晶圓結(jié)構(gòu)的上表面進行第二次外延生長，在生長的過程中加入InGaAsP材料，以獲得第三晶圓結(jié)構(gòu)；S4，對所述第三晶圓結(jié)構(gòu)進行脊圖形制作，以獲得第四晶圓結(jié)構(gòu)；S5，對所述第四晶圓結(jié)構(gòu)進行處理后再進行PN限制層生長，以獲得被所述PN限制層包裹且形狀為下脊平滑上脊陡的脊波導結(jié)構(gòu)。本發(fā)明可制得上脊陡、下脊平滑的脊波導結(jié)構(gòu)，該種脊波導結(jié)構(gòu)適合MOCVD內(nèi)PN限制層InP材料的生長，并且漏電通道更小，激光器閾值更低。?? |
