一種DFB激光器部分光柵制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710997892.0 申請日 -
公開（公告）號 CN107732655A 公開（公告）日 2018-02-23
申請公布號 CN107732655A 申請公布日 2018-02-23
分類號 H01S5/12;H01S5/34;G02B5/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張恩;許海明 申請（專利權(quán)）人 武漢光安倫光電技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 武漢光安倫光電技術(shù)有限公司
地址 430074 湖北省武漢市東湖開發(fā)區(qū)光谷金融港B26-802
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種DFB激光器部分光柵制作方法，包括如下步驟：在N型磷化銦襯底上，采用金屬有機化學(xué)氣相沉積方法依次生長N型InP緩沖層、多量子阱結(jié)構(gòu)、P型InP層、InGaAsP光柵層及InP光柵層；在外延片表面均勻涂覆光刻膠，通過光刻版遮住部分光柵，在光刻機下進行曝光，后進行全息曝光及顯影，形成光柵區(qū)與非光柵區(qū)；利用光刻膠作為保護層，采用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)對光柵層中InP光柵層進行刻蝕；采用針對InGaAsP的選擇性腐蝕液對InGaAsP光柵層進行腐蝕，室溫靜置腐蝕1?2分鐘。該方法利用光刻膠作為保護層，采用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)和選擇性濕法腐蝕形成深度一致的部分光柵，適合DFB激光器批量制作。