一種圖案化光敏BCB半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010106815.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111399350A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-07-10 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111399350A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-07-10 |
| 分類號(hào) | G03F7/42(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 黃鶴;張恩;李紫謙;許海明 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 武漢光安倫光電技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 武漢光安倫光電技術(shù)有限公司 |
| 地址 | 430074湖北省武漢市東湖開(kāi)發(fā)區(qū)光谷金融港B26-802 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種圖案化光敏BCB半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，包括S1，在外延結(jié)構(gòu)的襯底表面生長(zhǎng)第一層二氧化硅薄膜，并在第一層二氧化硅薄膜上制作第一個(gè)光刻膠圖形；S2，制作完成后，去除曝光區(qū)域的第一層二氧化硅薄膜，并采用堿溶液去除表面的光刻膠；S3，在剩余的第一層二氧化硅薄膜上涂覆光敏BCB，并光刻光敏BCB直至暴露出襯底，然后進(jìn)行固化，并刻蝕光敏BCB；S4，在圖案化的光敏BCB表面沉積第二層二氧化硅薄膜，并在第二層二氧化硅薄膜上制作第二個(gè)光刻膠圖形；S5，制作完第二個(gè)光刻膠圖形后，去除曝光區(qū)域的第二層二氧化硅薄膜，并采用有機(jī)溶液去除表面的光刻膠。本發(fā)明解決了在半導(dǎo)體工藝制造過(guò)程中光敏BCB遇堿性溶液發(fā)生反應(yīng)而破裂的問(wèn)題。?? |
