芯片腔體的加工方法以及半導(dǎo)體激光器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011038284.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112366516A | 公開（公告）日 | 2021-02-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112366516A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-12 |
| 分類號(hào) | H01S5/10(2021.01)I;H01S5/185(2021.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 游順青;許海明;唐琦 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 武漢光安倫光電技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 胡建文 |
| 地址 | 430074湖北省武漢市東湖開發(fā)區(qū)光谷金融港B26-802 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種芯片腔體的加工方法，包括S1，先對(duì)芯片腔體進(jìn)行烘烤；S2，待烘烤完成后，再對(duì)芯片腔體的出光腔面進(jìn)行第一次離子清洗；S3，待清洗完成后，于出光腔面上鍍高透膜，高透膜至少包括覆蓋在出光腔面上的第一SiO保護(hù)層；S4，待鍍膜完成后，再對(duì)芯片腔面的背光腔面進(jìn)行第二次離子清洗；S5，待清洗完成后，于背光腔面上鍍高反膜，高反膜至少包括覆蓋在背光腔面上的第二SiO保護(hù)層。還提供一種半導(dǎo)體激光器，包括上述芯片腔體的加工方法制得的芯片腔體。本發(fā)明采用SiO保護(hù)層提升產(chǎn)品腔面的致密性，降低膜層表面粗糙度，使膜系質(zhì)量整體提升，降低電子束蒸發(fā)造成的柱狀晶結(jié)構(gòu)，減少水氣及氧氣滲透到半導(dǎo)體腔面的影響，提升高速芯片的壽命及可靠性。?? |
