一種芯片3D異質(zhì)集成封裝的TSV電鍍?nèi)芤?/p>

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110275869.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113046799A 公開（公告）日 2021-06-29
申請公布號 CN113046799A 申請公布日 2021-06-29
分類號 C25D3/38;C25D7/12 分類 電解或電泳工藝；其所用設(shè)備〔4〕;
發(fā)明人 沈文寶;姚玉 申請（專利權(quán)）人 珠海市創(chuàng)智成功科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 519050 廣東省珠海市金灣區(qū)高欄港經(jīng)濟區(qū)高欄港大道2001口岸大樓531房（集中辦公區(qū)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導體晶圓級封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種芯片3D異質(zhì)集成封裝的TSV電鍍?nèi)芤?，該電鍍液由硫酸銅、硫酸、以及氯離子配合CZ609A、CZ609B、CZ609C三種添加劑按一定比例混合均勻形成該TSV電鍍?nèi)芤?；該電鍍?nèi)芤盒柙诜€(wěn)定的溫度22?28℃之間使用，并配合合適設(shè)備以及設(shè)定合適的電流密度參數(shù)最終實現(xiàn)孔內(nèi)的無空洞填充即TSV完全填充。本發(fā)明該TSV電鍍?nèi)芤壕哂行阅芊€(wěn)定，使用壽命超長、適合多種孔型，最大使用深徑比達15:1孔型并且特別對異質(zhì)集成導致孔口收窄TSV孔型仍能實現(xiàn)完美填充等特點。