一種LED外延片反應爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201220585682.3 申請日 -
公開（公告）號 CN202898596U 公開（公告）日 2013-04-24
申請公布號 CN202898596U 申請公布日 2013-04-24
分類號 C30B25/08(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王勇飛 申請（專利權）人 北京思捷愛普半導體設備有限公司
代理機構 北京東正專利代理事務所（普通合伙） 代理人 李夢福
地址 101312 北京市順義區(qū)空港工業(yè)園A區(qū)天竺綜合保稅區(qū)4號樓1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種LED外延片反應爐，包括爐體、固定在爐體內的排氣罩基座和固定在爐體頂部的爐蓋，在爐體側壁上開有開口，開口上固定有插板閥，爐體內部通過轉軸連接有外延片基盤，排氣罩基座固定在外延片基盤外側且通過升降汽缸與爐體底部連接到一起。本技術方案中，外延片在生長完成后，將爐內加壓，加壓后通過升降汽缸將排氣罩基座降到露出開口的位置，然后插板閥將爐體側壁打開，由外部的機械手將外延片基盤上生長好的外延片取出，不用再打開爐蓋和排氣罩基座，提高了反應爐的生產效率，降低了取片放片的時間。