一種MOCVD反應(yīng)爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201320577517.8 申請日 -
公開（公告）號 CN203569236U 公開（公告）日 2014-04-30
申請公布號 CN203569236U 申請公布日 2014-04-30
分類號 C30B25/02(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 陳依新;樊志濱;王勇飛 申請（專利權(quán)）人 北京思捷愛普半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
代理機構(gòu) 北京思海天達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京思捷愛普半導(dǎo)體設(shè)備有限公司;新磊半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司
地址 101312 北京市順義區(qū)天竺綜合保稅區(qū)空港工業(yè)園A區(qū)竺園路8號，4號廠房1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種MOCVD反應(yīng)爐屬于半導(dǎo)體外延生長領(lǐng)域，包括爐體、主盤部件和固定在爐體頂部的爐蓋部件。爐蓋部件的下表面有氫氣膜形成環(huán)組成，爐蓋部件上部有氫氣進入口，為氫氣膜提供氫氣。主盤部件的副盤下表面邊緣處有齒狀結(jié)構(gòu)，與定齒輪相互嚙合。副盤置于一個由下保持架、陶瓷滾珠、上保持架組成一個部件上，保證了副盤旋轉(zhuǎn)的順暢。本技術(shù)方案中氫氣從爐蓋部件的氫氣進口進入，經(jīng)過氫氣膜形成環(huán)之間的縫隙在爐蓋的下表面形成氫氣膜。這層氫氣膜阻止了Ⅲ族源和Ⅴ族源氣流與爐蓋下表面接觸，解決了顆粒缺陷外延片問題。主盤在旋轉(zhuǎn)的時候，副盤在圍繞主盤的軸心旋轉(zhuǎn)并且副盤也圍繞自己的軸心做自轉(zhuǎn)，消除了熱場軸向的不均勻性。使外延生長的更加均勻。