一種倒置MOCVD反應(yīng)爐

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201320577516.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN203530482U 公開(kāi)（公告）日 2014-04-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN203530482U 申請(qǐng)公布日 2014-04-09
分類(lèi)號(hào) C30B25/02(2006.01)I;C30B25/12(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I;C30B25/10(2006.01)I 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 陳依新;樊志濱;王勇飛 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 北京思捷愛(ài)普半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京思海天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京思捷愛(ài)普半導(dǎo)體設(shè)備有限公司;新磊半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司
地址 101312 北京市順義區(qū)天竺綜合保稅區(qū)空港工業(yè)園A區(qū)竺園路8號(hào)4號(hào)廠房1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種倒置MOCVD反應(yīng)爐屬于半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)設(shè)備領(lǐng)域，包括爐體、固定在爐體內(nèi)的排氣罩基座和固定在爐體頂部的爐蓋，在爐體側(cè)壁上開(kāi)有開(kāi)口，開(kāi)口上固定有插板閥，爐體內(nèi)部通過(guò)轉(zhuǎn)軸連接有石墨基盤(pán)，排氣罩基座固定在外延片基盤(pán)外側(cè)且通過(guò)升降汽缸與爐體底部連接到一起。本技術(shù)方案中，反應(yīng)室內(nèi)的壓強(qiáng)大于石墨基盤(pán)內(nèi)的壓強(qiáng)，通過(guò)壓強(qiáng)差將襯底緊緊的壓在石墨基盤(pán)的相應(yīng)位置。石墨基盤(pán)的旋轉(zhuǎn)消除了氣流場(chǎng)的不均勻性和熱場(chǎng)的不均勻性，使外延生長(zhǎng)更加均勻。外延生長(zhǎng)面向下，Ⅲ族源和Ⅴ族源在反應(yīng)室內(nèi)反應(yīng)生成的化合物晶體就不會(huì)落在外延生長(zhǎng)面上，徹底解決了顆粒缺陷外延片問(wèn)題。