一種倒置MOCVD反應爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201320577516.3 申請日 -
公開（公告）號 CN203530482U 公開（公告）日 2014-04-09
申請公布號 CN203530482U 申請公布日 2014-04-09
分類號 C30B25/02(2006.01)I;C30B25/12(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I;C30B25/10(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 陳依新;樊志濱;王勇飛 申請（專利權）人 北京思捷愛普半導體設備有限公司
代理機構 北京思海天達知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 北京思捷愛普半導體設備有限公司;新磊半導體科技（蘇州）有限公司
地址 101312 北京市順義區(qū)天竺綜合保稅區(qū)空港工業(yè)園A區(qū)竺園路8號4號廠房1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種倒置MOCVD反應爐屬于半導體外延生長設備領域，包括爐體、固定在爐體內的排氣罩基座和固定在爐體頂部的爐蓋，在爐體側壁上開有開口，開口上固定有插板閥，爐體內部通過轉軸連接有石墨基盤，排氣罩基座固定在外延片基盤外側且通過升降汽缸與爐體底部連接到一起。本技術方案中，反應室內的壓強大于石墨基盤內的壓強，通過壓強差將襯底緊緊的壓在石墨基盤的相應位置。石墨基盤的旋轉消除了氣流場的不均勻性和熱場的不均勻性，使外延生長更加均勻。外延生長面向下，Ⅲ族源和Ⅴ族源在反應室內反應生成的化合物晶體就不會落在外延生長面上，徹底解決了顆粒缺陷外延片問題。