一種LED外延片倒置MOCVD反應(yīng)爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310435540.8 申請日 -
公開（公告）號 CN103526285A 公開（公告）日 2014-01-22
申請公布號 CN103526285A 申請公布日 2014-01-22
分類號 C30B25/12(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 樊志濱;陳依新;王勇飛 申請（專利權(quán)）人 北京思捷愛普半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
代理機構(gòu) 北京思海天達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉萍
地址 101312 北京市順義區(qū)天竺綜合保稅區(qū)空港工業(yè)園A區(qū)竺園路8號4號廠房1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種LED外延片倒置MOCVD反應(yīng)爐屬于半導(dǎo)體外延生長設(shè)備領(lǐng)域。包括爐體、爐蓋通過插銷裝置固定的基盤承載部，排氣整流罩固定在爐底且通過外置升降汽缸與源料導(dǎo)入管同時進行升降。本技術(shù)方案中，襯底片倒掛式放置，基盤、衛(wèi)星盤圍可實現(xiàn)同時旋轉(zhuǎn)，基盤可整體利用機械臂搬送。此設(shè)計使襯底外延生長面向下，解決了因此問題導(dǎo)致良率過低的問題；基盤旋轉(zhuǎn)帶動衛(wèi)星盤圍繞基盤軸心旋轉(zhuǎn)，同時，衛(wèi)星盤也圍繞其軸心自轉(zhuǎn)，消除了氣流場的不均勻性和熱場的不均勻性，使外延生長更加均勻；基盤利用機械臂搬送，相比較頻繁開爐蓋、手動更換襯底工序，節(jié)省了大量時間、提高了生產(chǎn)效率，以及降低了反應(yīng)腔室與外界接觸頻率，延長維護保養(yǎng)時限，節(jié)約成本。