一種LED外延片倒置MOCVD反應(yīng)爐

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310435540.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103526285B 公開(kāi)（公告）日 2016-03-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN103526285B 申請(qǐng)公布日 2016-03-30
分類(lèi)號(hào) C30B25/12(2006.01)I 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 樊志濱;陳依新;王勇飛 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 北京思捷愛(ài)普半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京思海天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京思捷愛(ài)普半導(dǎo)體設(shè)備有限公司;新磊半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司
地址 101312 北京市順義區(qū)天竺綜合保稅區(qū)空港工業(yè)園A區(qū)竺園路8號(hào)4號(hào)廠房1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種LED外延片倒置MOCVD反應(yīng)爐屬于半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)設(shè)備領(lǐng)域。包括爐體、爐蓋通過(guò)插銷(xiāo)裝置固定的基盤(pán)承載部，排氣整流罩固定在爐底且通過(guò)外置升降汽缸與源料導(dǎo)入管同時(shí)進(jìn)行升降。本技術(shù)方案中，襯底片倒掛式放置，基盤(pán)、衛(wèi)星盤(pán)圍可實(shí)現(xiàn)同時(shí)旋轉(zhuǎn)，基盤(pán)可整體利用機(jī)械臂搬送。此設(shè)計(jì)使襯底外延生長(zhǎng)面向下，解決了因此問(wèn)題導(dǎo)致良率過(guò)低的問(wèn)題；基盤(pán)旋轉(zhuǎn)帶動(dòng)衛(wèi)星盤(pán)圍繞基盤(pán)軸心旋轉(zhuǎn)，同時(shí)，衛(wèi)星盤(pán)也圍繞其軸心自轉(zhuǎn)，消除了氣流場(chǎng)的不均勻性和熱場(chǎng)的不均勻性，使外延生長(zhǎng)更加均勻；基盤(pán)利用機(jī)械臂搬送，相比較頻繁開(kāi)爐蓋、手動(dòng)更換襯底工序，節(jié)省了大量時(shí)間、提高了生產(chǎn)效率，以及降低了反應(yīng)腔室與外界接觸頻率，延長(zhǎng)維護(hù)保養(yǎng)時(shí)限，節(jié)約成本。