一種圖形化外延生長的方法及在集成電路中的應(yīng)用
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010285871.8 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111477538A | 公開（公告）日 | 2020-07-31 |
| 申請公布號 | CN111477538A | 申請公布日 | 2020-07-31 |
| 分類號 | H01L21/02(2006.01)I;C30B25/04(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 宣榮衛(wèi);呂俊 | 申請（專利權(quán)）人 | 艾華（無錫）半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 連云港聯(lián)創(chuàng)專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 艾華（無錫）半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 214000江蘇省無錫市錫山區(qū)錫北鎮(zhèn)錫港路張涇東段209號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種圖形化外延生長的方法及在集成電路中的應(yīng)用，該圖形化外延生長的方法是利用化學(xué)氣相生長(CVD)原理，前驅(qū)物氣體覆蓋(或吸附)在晶圓表面，在激光作用下發(fā)生反應(yīng)，并沉積在晶圓上，沒有激光作用，前驅(qū)體不發(fā)生反應(yīng)或反應(yīng)緩慢，在激光作用下，前驅(qū)體發(fā)生反應(yīng)或加快反應(yīng)，激光對晶圓損傷非常微弱，激光應(yīng)選用短波長脈沖激光，激光掃描圖形受到電腦編程控制，在同一工序中通入不同的前驅(qū)體，同一工序可制備一層或多層圖形化薄膜，進(jìn)而完成元件的制備與集成；該一種圖形化外延生長的方法及在集成電路中的應(yīng)用，大大簡化制程工藝，減少制程工序，成本和成品率潛在優(yōu)勢巨大，可繞開光刻和刻蝕等超高技術(shù)設(shè)備，減少投產(chǎn)難度。?? |
