一種圖形化外延生長的設(shè)備結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020541308.8 申請日 -
公開(公告)號(hào) CN212476874U 公開(公告)日 2021-02-05
申請公布號(hào) CN212476874U 申請公布日 2021-02-05
分類號(hào) C23C16/44(2006.01)I; 分類 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 宣榮衛(wèi);呂俊 申請(專利權(quán))人 艾華(無錫)半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 連云港聯(lián)創(chuàng)專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 代理人 劉剛
地址 214000江蘇省無錫市錫山區(qū)錫北鎮(zhèn)錫港路張涇東段209號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及圖形化功能層制備技術(shù)領(lǐng)域,且公開了一種圖形化外延生長的設(shè)備結(jié)構(gòu),包括真空腔室,所述真空腔室一端設(shè)置有供氣管,且所述供氣管與所述真空腔室固定連接,所述供氣管遠(yuǎn)離所述真空腔室一端設(shè)置有真空泵,且所述真空泵與所述供氣管固定連接。該一種圖形化外延生長的設(shè)備結(jié)構(gòu),通過設(shè)置真空腔室,將晶圓置于真空腔室,有利于功能膜層的均勻性,同時(shí)極大的減少污染提高成品率,激光發(fā)生器通過激光窗口向真空腔室內(nèi)部照射,激光窗口允許激光通過并照射在晶圓的表面,激光發(fā)生器產(chǎn)生的激光通過光學(xué)聚焦系統(tǒng)形成納米尺度光斑,使得裝置與3D打印機(jī)相比可以打印納米級圖案,可應(yīng)用在集成電路制備。??