氧化鎵單晶制備中抑制原料分解和銥金坩堝氧化的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111460474.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114086249A 公開（公告）日 2022-02-25
申請公布號 CN114086249A 申請公布日 2022-02-25
分類號 C30B27/00（2006.01）I;C30B27/02（2006.01）I;C30B29/16（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 唐為華;李山 申請（專利權）人 北京鎵和半導體有限公司
代理機構 北京清誠知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 喻穎
地址 100876北京市懷柔區(qū)雁棲經(jīng)濟開發(fā)區(qū)雁棲大街53號院13號樓3層01-325室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種氧化鎵單晶制備中抑制原料分解和銥金坩堝氧化的方法。所述方法包括：在控制溫度條件下生長氧化鎵晶體，且將氧化鎵的生長溫度劃分成至少兩個的溫度區(qū)間，對每一個溫度區(qū)間設置不同的生長氣氛。本發(fā)明的方法將氧化鎵單晶制備過程中的溫度細分為多個區(qū)間，通過不同溫區(qū)氣氛比例的精確控制，達到抑制原料分解揮發(fā)和銥金坩堝氧化揮發(fā)的目的，從而降低設備損耗，提高單晶質(zhì)量，降低生產(chǎn)成本。本發(fā)明操作簡單有效，成本低廉，有利于氧化鎵單晶的工業(yè)化生產(chǎn)和科研探索。