氧化鎵單晶制備中抑制原料分解和銥金坩堝氧化的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111460474.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114086249A 公開(kāi)（公告）日 2022-02-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN114086249A 申請(qǐng)公布日 2022-02-25
分類號(hào) C30B27/00（2006.01）I;C30B27/02（2006.01）I;C30B29/16（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 唐為華;李山 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京鎵和半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 喻穎
地址 100876北京市懷柔區(qū)雁棲經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)雁棲大街53號(hào)院13號(hào)樓3層01-325室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種氧化鎵單晶制備中抑制原料分解和銥金坩堝氧化的方法。所述方法包括：在控制溫度條件下生長(zhǎng)氧化鎵晶體，且將氧化鎵的生長(zhǎng)溫度劃分成至少兩個(gè)的溫度區(qū)間，對(duì)每一個(gè)溫度區(qū)間設(shè)置不同的生長(zhǎng)氣氛。本發(fā)明的方法將氧化鎵單晶制備過(guò)程中的溫度細(xì)分為多個(gè)區(qū)間，通過(guò)不同溫區(qū)氣氛比例的精確控制，達(dá)到抑制原料分解揮發(fā)和銥金坩堝氧化揮發(fā)的目的，從而降低設(shè)備損耗，提高單晶質(zhì)量，降低生產(chǎn)成本。本發(fā)明操作簡(jiǎn)單有效，成本低廉，有利于氧化鎵單晶的工業(yè)化生產(chǎn)和科研探索。