一種改善EMI及降低特征電阻的超結(jié)器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110046715.0 申請日 -
公開（公告）號 CN112786684A 公開（公告）日 2021-05-11
申請公布號 CN112786684A 申請公布日 2021-05-11
分類號 H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何軍;胡興正;薛璐;劉海波 申請（專利權(quán)）人 滁州華瑞微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京瑞華騰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 邱歡歡
地址 239000 安徽省滁州市南譙區(qū)雙廟路與興隆路交叉口西南側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種改善EMI及降低特征電阻的超結(jié)器件及其制造方法。該器件包括襯底、多層設(shè)置在襯底上側(cè)的第一外延和設(shè)置在第一外延上側(cè)的第二外延，每層第一外延上側(cè)均摻雜形成有第一導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)，并制作形成有多個間隔設(shè)置的第二導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)，多層第一外延上的第二導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)沿豎向排列設(shè)置，第二外延上刻蝕形成有多個溝槽，每一溝槽設(shè)置在一列第二導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)的上側(cè)，且其內(nèi)部回填有第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)，在縱向相鄰的兩個第二導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)之間以及溝槽與其下側(cè)的第二導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)之間均連接有第二導(dǎo)電類型連接柱。本發(fā)明的單位面積特征電阻更低，具有良好的EMI特性，并且制作工藝復(fù)雜程度適中。