一種具有超高隔離電壓的智能型超結(jié)MOS及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110532789.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113241371A 公開（公告）日 2021-08-10
申請公布號 CN113241371A 申請公布日 2021-08-10
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L27/06（2006.01）I;H01L21/82（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何軍;胡興正;薛璐;劉海波 申請（專利權）人 滁州華瑞微電子科技有限公司
代理機構(gòu) 南京中擎科智知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 黃智明
地址 239000安徽省滁州市南譙區(qū)雙廟路與興隆路交叉口西南側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及超結(jié)MOS制造領域，公開了一種具有超高隔離電壓的智能型超結(jié)MOS及其制造方法，其技術方案要點是包括集成連接在一個芯片上的主MOS、電阻R以及若干功能MOS，所述功能MOS設置在所述主MOS的范圍內(nèi)，所述功能MOS在芯片上的分布包括功能MOS隔離區(qū)和設置在所述功能隔離區(qū)內(nèi)部的功能MOS有源區(qū)，所述功能MOS隔離區(qū)包括相鄰間隔且呈環(huán)形設置的P型摻雜區(qū)和N型摻雜區(qū)，所述功能MOS有源區(qū)和主MOS包括若干組相互平行且間隔設置的P型摻雜區(qū)和N型摻雜區(qū)。