一種集成SBR的低損耗高壓超結(jié)器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110589057.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113314592A 公開（公告）日 2021-08-27
申請公布號 CN113314592A 申請公布日 2021-08-27
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許超;何軍;胡興正;薛璐;劉海波 申請（專利權(quán)）人 滁州華瑞微電子科技有限公司
代理機構(gòu) 南京中擎科智知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 黃智明
地址 239000安徽省滁州市南譙區(qū)雙廟路與興隆路交叉口西南側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及超結(jié)器件領(lǐng)域，公開了一種集成SBR的低損耗高壓超結(jié)器件及其制備方法，其技術(shù)方案要點是在超結(jié)MOS器件上集成有SBR二極管，超結(jié)MOS器件包括N型外延層、N型襯底片，N型襯底片的外側(cè)設(shè)置有蒸發(fā)層；N型外延層的表面有第一氧化層，N型外延層的外側(cè)內(nèi)部設(shè)置有深溝槽，深溝槽內(nèi)填設(shè)有P型摻雜部，N型外延層在對應(yīng)于MOS有源區(qū)的位置形成P型體區(qū)部；在P型體區(qū)部外側(cè)設(shè)置有柵氧化層，柵氧化層的外側(cè)有多晶層，在P型體區(qū)部的外側(cè)邊沿和柵氧化層邊沿兩側(cè)下方之間設(shè)置有源極結(jié)構(gòu)層，多晶層和源極結(jié)構(gòu)層的外側(cè)沉積設(shè)置有介質(zhì)層；介質(zhì)層進行開孔，開孔的孔底濺射設(shè)置勢壘金屬并形成勢壘層，在開孔位置和介質(zhì)層的外側(cè)設(shè)置有金屬層。