一種改善EMI及降低特征電阻的超結器件
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202120092933.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN214226914U | 公開(公告)日 | 2021-09-17 |
申請公布號 | CN214226914U | 申請公布日 | 2021-09-17 |
分類號 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 何軍;胡興正;薛璐;劉海波 | 申請(專利權)人 | 滁州華瑞微電子科技有限公司 |
代理機構 | 南京瑞華騰知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) | 代理人 | 邱歡歡 |
地址 | 239000安徽省滁州市南譙區(qū)雙廟路與興隆路交叉口西南側 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型公開了一種改善EMI及降低特征電阻的超結器件。該器件包括襯底、多層設置在襯底上側的第一外延和設置在第一外延上側的第二外延,每層第一外延上側均摻雜形成有第一導電類型的摻雜區(qū),并制作形成有多個間隔設置的第二導電類型的摻雜區(qū),多層第一外延上的第二導電類型的摻雜區(qū)沿豎向排列設置,第二外延上刻蝕形成有多個溝槽,每一溝槽設置在一列第二導電類型的摻雜區(qū)的上側,且其內(nèi)部回填有第二導電類型的雜質(zhì),在縱向相鄰的兩個第二導電類型的摻雜區(qū)之間以及溝槽與其下側的第二導電類型的摻雜區(qū)之間均連接有第二導電類型連接柱。本實用新型的單位面積特征電阻更低,具有良好的EMI特性,并且制作工藝復雜程度適中。 |
