一種具有電荷平衡結(jié)構(gòu)的溝槽MOSFET及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110115394.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112909075A 公開（公告）日 2021-06-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN112909075A 申請(qǐng)公布日 2021-06-04
分類號(hào) H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李加洋;胡興正;薛璐;劉海波 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 滁州華瑞微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京瑞華騰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 邱歡歡
地址 239000 安徽省滁州市南譙區(qū)雙廟路與興隆路交叉口西南側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有電荷平衡結(jié)構(gòu)的溝槽MOSFET及其制作方法。它包括第一導(dǎo)電類型的襯底，襯底上側(cè)生長(zhǎng)外延，外延中部刻蝕形成第一溝槽，第一溝槽的表面生長(zhǎng)有第一導(dǎo)電類型的連接層，連接層內(nèi)側(cè)的第一溝槽內(nèi)經(jīng)外延生長(zhǎng)形成第二導(dǎo)電類型的柱區(qū)，第一溝槽兩側(cè)的外延內(nèi)刻蝕形成第二溝槽，第二溝槽的表面長(zhǎng)有氧化層，氧化層的上表面長(zhǎng)有高K介質(zhì)層。在第一溝槽內(nèi)形成電荷平衡結(jié)構(gòu)，引入平行電場(chǎng)，改變漂移區(qū)的電場(chǎng)分布，提高器件耐壓，降低Rsp（單位面積電阻率），從而降低導(dǎo)通損耗，第二溝槽內(nèi)采用高K介質(zhì)材料，可優(yōu)化第二深槽對(duì)BVDSS的制約作用，進(jìn)一步優(yōu)化器件性能，與現(xiàn)有工藝平臺(tái)兼容，工藝實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單且工藝窗口足夠。