一種圓形柵功率器件的自對(duì)準(zhǔn)p型制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110733465.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113436976A | 公開（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113436976A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-24 |
| 分類號(hào) | H01L21/336（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張瑜潔;施廣彥;李佳帥;李志君;黃波 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 福州市鼓樓區(qū)京華專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 王牌 |
| 地址 | 100000北京市海淀區(qū)西小口路66號(hào)中關(guān)村東升科技園B區(qū)1號(hào)樓106A、113A、115A、117A、119A、121A | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種圓形柵功率器件的自對(duì)準(zhǔn)p型制造方法，包括：在含N型外延層的N+型襯底SiC表面進(jìn)行P阱外延，形成一層P型外延層；在所述P型外延層氧化生長(zhǎng)一層SiO2層；根據(jù)設(shè)定進(jìn)行光刻刻蝕，去掉設(shè)定區(qū)域的SiO2層和P型外延層；在上述形成的結(jié)構(gòu)上氧化生長(zhǎng)一層SiO2，該SiO2生長(zhǎng)厚度控制在1?2μm；淀積poly，直至高于SiO2層；進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨，研磨至P型外延層表面；在上述形成的上表面進(jìn)行P型離子注入，離子注入?yún)^(qū)域覆蓋整個(gè)晶圓；通過淀積、光刻、刻蝕工藝形成介質(zhì)層和接觸孔，形成柵極和漏極的電極；下表面金屬化，形成源極金屬，完成功率器件制作，提高功率器件的可靠性。 |
